플라즈마저온플라즈마 기술은 건식공정으로 간단할 뿐만 아니라,
초기 투자비용 저렴, 설치부지 감소,
기존 설비에 적용 용이
생성된 부산물(질소가스)의 농업용 비료로 재이용 등 장점.
저온플라즈마의 가스온도는 배출가스의 온도이며, 전자의 온도만 높기 때문에 고온을 적용할 수 없는 재료
2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의
플라즈마 이다. 전기 방전을 이용한 플라즈마의 생성에 중점을 두는 이유는 공학적으로 방전을 이용한 플라즈마가 생성 및 실생활에 적용이 훨씬 쉽기 때문이다. 전기로 생성된 플라즈마를 이용한 기구들은 이미 여러 방면에서 연구 및 개발, 사용되고 있는 중이다.
2.2.1 대기압 조건에서 전기적인 방
-화학 기상 증착법(CVD)
저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법
물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법
-At
저온플라즈마라 한다. 플라즈마는 전자, 이온, 분자의 온도가 모두 높은 고온 열플라즈마와 전자 온도만 높은 저온플라즈마로 구분된다. 고온 열플라즈마는 고온을 얻을 수 있어 물질을 용융하는데 활용된다. 저온플라즈마는 가스온도는 당해 배출가스의 온도이며, 전자의 온도만 높기 때문에 고온
플라즈마 분포 및 ion kinetic energy에 대한 해석을 실시 하였으며, ITO target의 erosion형상의 원인을 실험결과와 비교하였다. magnetron sputter은 target에 가해지는 기본 전압에 의해 target과 shield 혹은 target과 substrate 사이에서 생성될 수 있는 플라즈마 사이의 전위차에 의해 가속된 이온들이 target 표면과 충
-PVD 물리 증착법 : 시간이 적게 드는 특징이 있다. (ex : 열증착, E-beam 증착법)
-CVD 화학 증착법 : 오래 걸리지만 박막을 표면에 고르게 증착시킬 수 있다.
1. Thermal Evaporator의 구조 및 설명
Thermal Evaporator의 설명
Evaporation의 방법으로는 thermal evaporation과 e-beam evaporation 그리고 이 둘을 조합하는 방법
용접의 정의
용접이란 접합하고자 하는 2개 이상의 물체나 재료의 접합 부분을 냉간, 반용융 또는 용융 상태로 하여 직접 접합 시키거나 또는 접합하고자 하는 두 가지 이상의 물체 사이에 용융된 용가재를 첨가하여 간접적으로 접합 시키는 것을 말한다.
용접의 종류
① 융접 : 아크 용접, 가
서론 (플라즈마란?)
1. 플라즈마의 정의
플라즈마는 고체, 액체, 기체와 함께 물질의 4대 기본 상태 중 하나입니다. 이온, 전자 및 중성 원자 또는 분자를 포함하는 하전 입자 집합으로 구성된 이온화된 가스입니다. 플라즈마는 별, 번개, 오로라의 형태로 우주에서 자연적으로 발견될 수 있지만 플라즈